Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IPI60R165CPXKSA1
BESCHREIBUNG
HIGH POWER_LEGACY
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 21A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
20 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
500

Technische Daten

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS®
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
192W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
IPI60R165

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

IPI60R165CPXKSA1-ND
448-IPI60R165CPXKSA1
SP000680744

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI60R165CPXKSA1

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IPI60R165CP)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V CP Spice Model)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $2.4006
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.54947
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.97748
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $3.3497
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $4.141
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $4.93
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-