Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXTA1R6N100D2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
52 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
IXYS
Series
Depletion
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
645 pF @ 25 V
FET Feature
Depletion Mode
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263AA
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
IXTA1

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTA1R6N100D2

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IXT(Y,A,P)1R6N100D2)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXT(Y,A,P)1R6N100D2)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.74212
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $1.81585
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.92846
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.25222
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.5337
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $2.956
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.73
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-