Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
RGW50TK65GVC11
BESCHREIBUNG
IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 67 W Through Hole TO-3PFM
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
STANDARD LEADTIME
30 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
30

Technische Daten

Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 25A
Power - Max
67 W
Switching Energy
390µJ (on), 430µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
73 nC
Td (on/off) @ 25°C
35ns/102ns
Test Condition
400V, 25A, 10Ohm, 15V
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Supplier Device Package
TO-3PFM

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

846-RGW50TK65GVC11CT
846-RGW50TK65GVC11CT-ND
846-RGW50TK65GVC11CTINACTIVE
846-RGW50TK65GVC11DKR
846-RGW50TK65GVC11TR
846-RGW50TK65GVC11DKR-ND
846-RGW50TK65GVC11DKRINACTIVE
846-RGW50TK65GVC11
846-RGW50TK65GVC11TR-ND

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Rohm Semiconductor RGW50TK65GVC11

Dokumente und Medien

Datasheets
1(RGW50TK65GVC11)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(GWxx65C Series Hybrid IGBTs with Built-In SiC Diode)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2010
Einzelpreis: $2.55499
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1020
Einzelpreis: $2.71343
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $3.16898
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $3.56508
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $4.15933
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $5.25
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-