Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHG70N60AEF-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
500

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
410 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5348 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
417W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG70

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

SIHG70N60AEF-GE3-ND
742-SIHG70N60AEF-GE3

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG70N60AEF-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHG70N60AE)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SIHG70N60AE)

Menge Preis

QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $6.79038
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $7.40304
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $8.1689
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $9.445
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $10.72
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : IPW60R045CPAFKSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 83
Einzelpreis. : $19.76000
Ersatztyp. : Direct