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ChinaFF650R17IE4DB2BOSA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FF650R17IE4DB2BOSA1
BESCHREIBUNG
IGBT MODULE 1700V 4150W
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module 2 Independent 1700 V 4150 W Chassis Mount Module
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
14 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
PrimePACK™2
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1700 V
Power - Max
4150 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.45V @ 15V, 650A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
54 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF650R17
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
FF650R17IE4D_B2-ND
SP000621228
FF650R17IE4DB2BOSA1-ND
2156-FF650R17IE4DB2BOSA1
448-FF650R17IE4DB2BOSA1
FF650R17IE4D_B2
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FF650R17IE4DB2BOSA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(FF650R17IE4D_B2)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(FF650R17IE4D_B2)
Menge Preis
QUANTITÄT: 12
Einzelpreis: $529.22083
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $549.89
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-