Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHG22N60E-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
21 Weeks
EDACAD-MODELL
SIHG22N60E-GE3 Models
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1920 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG22

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG22N60E-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHG22N60E)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SIHG22N60E)
EDA Models
1(SIHG22N60E-GE3 Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $2
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $2.08464
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.21392
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.5856
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.9088
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $3.596
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $4.28
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-