Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHP28N65E-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
10 Weeks
EDACAD-MODELL
SIHP28N65E-GE3 Models
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3405 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SIHP28

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHP28N65E-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHP28N65E)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019)
HTML Datasheet
1(SIHP28N65E)
EDA Models
1(SIHP28N65E-GE3 Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.65394
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1000

Stellvertreter

Teil Nr. : FCP125N60E
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 253
Einzelpreis. : $5.44000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IPP60R099P7XKSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 1,842
Einzelpreis. : $4.15000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IPP60R125CPXKSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 4,944
Einzelpreis. : $6.08000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : STP34NM60ND
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 969
Einzelpreis. : $10.90000
Ersatztyp. : Similar