Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
NTE2018
BESCHREIBUNG
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
HERSTELLER
NTE Electronics, Inc
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1

Technische Daten

Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
Transistor Type
8 NPN Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power - Max
1W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-20°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package
18-PDIP
Base Product Number
NTE20

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays/NTE Electronics, Inc NTE2018

Dokumente und Medien

Datasheets
1(NTE201x, NTE2020)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTE201x, NTE2020)

Menge Preis

QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $3.04
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $3.11
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 20
Einzelpreis: $3.29
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $3.48
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.66
Verpackung: Bag
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-
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