Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TK100E10N1,S1X
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
24 Weeks
EDACAD-MODELL
TK100E10N1,S1X Models
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
U-MOSVIII-H
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8800 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
255W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
TK100E10

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

TK100E10N1S1X
TK100E10N1,S1X(S

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK100E10N1,S1X

Dokumente und Medien

Datasheets
1(TK100E10N1)
Featured Product
()
EDA Models
1(TK100E10N1,S1X Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.7875
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $1.86315
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.97869
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.31088
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.5997
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $3.214
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.83
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-