Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHH20N50E-T1-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 500 V 22A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
3,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
147mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2063 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
174W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
SIHH20

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

SIHH20N50E-T1-GE3CT
SIHH20N50E-T1-GE3CT-ND
SIHH20N50E-T1-GE3DKRINACTIVE
SIHH20N50E-T1-GE3TRINACTIVE
SIHH20N50E-T1-GE3TR
SIHH20N50E-T1-GE3DKR-ND
SIHH20N50E-T1-GE3DKR
SIHH20N50E-T1-GE3TR-ND

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHH20N50E-T1-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHH20N50E)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
HTML Datasheet
1(SIHH20N50E)

Menge Preis

QUANTITÄT: 3000
Einzelpreis: $2.27095
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.41179
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.81668
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $3.1688
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $3.917
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $4.67
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-