Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXFQ60N25X3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 250 V 60A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-3P
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
47 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
30

Technische Daten

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X3
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3610 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
320W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
IXFQ60

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

IXFQ60N25X3-ND
238-IXFQ60N25X3
-1402-IXFQ60N25X3

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFQ60N25X3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IXFx60N25X3)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Design/Specification
1(Multiple Devices Material 23/Jun/2020)
HTML Datasheet
1(IXFx60N25X3)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $4.71773
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $5.03472
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $5.59414
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $6.34
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $7.608
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $8.88
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-