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ChinaIXTP110N12T2
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXTP110N12T2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-220-3
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
IXYS
Series
TrenchT2™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6570 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
517W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IXTP110
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTP110N12T2
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IXT(A,P)110N12T2)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
HTML Datasheet
1(IXT(A,P)110N12T2)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : IXTP80N12T2
Hersteller. : IXYS
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $2.87000
Ersatztyp. : MFR Recommended
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $2.87000
Ersatztyp. : MFR Recommended
Teil Nr. : FDP2532
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $3.65000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $3.65000
Ersatztyp. : Similar