Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IPW65R110CFDFKSA2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
20 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
30

Technische Daten

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CFD2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3240 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
277.8W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-41
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IPW65R110

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

448-IPW65R110CFDFKSA2
SP001987370
IPW65R110CFDFKSA2-ND

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPW65R110CFDFKSA2

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IPx65R110CFD)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(IPx65R110CFD)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2010
Einzelpreis: $3.5396
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1020
Einzelpreis: $3.77744
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $4.19716
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $4.75675
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $5.31633
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $6.66
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-