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ChinaTP65H150G4PS
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TP65H150G4PS
BESCHREIBUNG
GAN FET N-CH 650V TO-220
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Transphorm
STANDARD LEADTIME
16 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Transphorm
Series
SuperGaN®
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
598 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Transphorm TP65H150G4PS
Dokumente und Medien
Datasheets
1(TP65H150G4PS)
Menge Preis
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $3.51354
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $3.74962
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $4.16624
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $4.7218
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $5.2772
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $6.61
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-