Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRFI630G
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 200 V 5.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
IRFI630G Models
STANDARDPAKET
1,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRFI630

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFI630G

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IRFI630G)
HTML Datasheet
1(IRFI630G)
EDA Models
1(IRFI630G Models)

Menge Preis

-

Stellvertreter

Teil Nr. : IRFI630GPBF
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 1,686
Einzelpreis. : $2.84000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : RCX100N25
Hersteller. : Rohm Semiconductor
Verfügbare Menge. : 429
Einzelpreis. : $2.16000
Ersatztyp. : Direct
Teil Nr. : IRFI4227PBF
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 6,696
Einzelpreis. : $3.05000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : RCX120N20
Hersteller. : Rohm Semiconductor
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $1.16988
Ersatztyp. : Similar