Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
G3S06504A
BESCHREIBUNG
DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Diode 650 V 11.5A Through Hole TO-220AC
HERSTELLER
Global Power Technology-GPT
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
30

Technische Daten

Mfr
Global Power Technology-GPT
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Active
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
11.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 4 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
50 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F
181pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220AC
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Andere Namen

3383-G3S06504ATB
3383-G3S06504A-ND
3383-G3S06504ACT-ND
3383-G3S06504ACT
3383-G3S06504A

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Global Power Technology-GPT G3S06504A

Dokumente und Medien

Datasheets
1(G3S06504A)

Menge Preis

QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $2.539
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $3.02
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : G3S06503A
Hersteller. : Global Power Technology-GPT
Verfügbare Menge. : 400
Einzelpreis. : $2.68000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent