English
Spain
Rusia
Italy
ChinaBSM75GB120DN2HOSA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
BSM75GB120DN2HOSA1
BESCHREIBUNG
IGBT MOD 1200V 105A 625W
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Half Bridge 1200 V 105 A 625 W Chassis Mount Module
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
10
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
105 A
Power - Max
625 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)
1.5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
5.5 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM75GB120
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
BSM75GB120DN2
SP000095923
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM75GB120DN2HOSA1
Dokumente und Medien
-
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : FF200R17KE3HOSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 35
Einzelpreis. : $175.62000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 35
Einzelpreis. : $175.62000
Ersatztyp. : Similar