Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SCTL90N65G2V
BESCHREIBUNG
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 40A (Tc) 935W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
HERSTELLER
STMicroelectronics
STANDARD LEADTIME
52 Weeks
EDACAD-MODELL
SCTL90N65G2V Models
STANDARDPAKET
3,000

Technische Daten

Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3380 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
935W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerFlat™ (8x8) HV
Package / Case
8-PowerVDFN

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

497-SCTL90N65G2VCT
497-SCTL90N65G2VDKR
497-SCTL90N65G2VTR

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTL90N65G2V

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SCTL90N65G2V)
EDA Models
1(SCTL90N65G2V Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 3000
Einzelpreis: $22.53625
Verpackung: Tape & Reel (TR)
MinMultiplikator: 3000
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $27.3139
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $31.229
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $27.3139
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $35.14
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $31.229
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $35.14
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-