Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRFBG30PBF-BE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
8 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
980 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRFBG30

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBG30PBF-BE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(Power MOSFET)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.06953
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $1.11131
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.1698
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $1.3787
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $1.6294
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $1.9804
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $2.46
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-