Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHG105N60EF-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
10 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
500

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1804 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG105

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

742-SIHG105N60EF-GE3
742-SIHG105N60EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHG105N60EF-GE3TR-ND

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG105N60EF-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHG105N60EF)
Featured Product
1(MOSFETs in 5G)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
HTML Datasheet
1(SIHG105N60EF)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.94125
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $2.02341
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.14889
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.50964
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.8234
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $3.49
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $4.16
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-