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ChinaDF200R12KE3HOSA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
DF200R12KE3HOSA1
BESCHREIBUNG
IGBT MODULE 1200V 1040W
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Module Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
26 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
10
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Power - Max
1040 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
DF200R12
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
DF200R12KE3HOSA1-ND
DF200R12KE3
2156-DF200R12KE3HOSA1
SP000100741
448-DF200R12KE3HOSA1
DF200R12KE3-ND
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies DF200R12KE3HOSA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(DF200R12KE3)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(DF200R12KE3)
Menge Preis
QUANTITÄT: 80
Einzelpreis: $108.83275
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $114.01533
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $118.334
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $127.84
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tray
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-