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ChinaIPB50CN10NGATMA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IPB50CN10NGATMA1
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 20A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
1,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
44W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
SP000277696
IPB50CN10N G
INFINFIPB50CN10NGATMA1
IPB50CN10NGATMA1TR
IPB50CN10N G-ND
2156-IPB50CN10NGATMA1-ITTR
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPB50CN10NGATMA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IPx50CN10N G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx50CN10N G)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : PHB27NQ10T,118
Hersteller. : Nexperia USA Inc.
Verfügbare Menge. : 7,068
Einzelpreis. : $1.47000
Ersatztyp. : Similar
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Einzelpreis. : $1.47000
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Teil Nr. : STB30NF10T4
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 977
Einzelpreis. : $1.70000
Ersatztyp. : Similar
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Einzelpreis. : $1.70000
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