Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
RN1131MFV(TL3,T)
BESCHREIBUNG
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
RN1131MFV(TL3,T) Models
STANDARDPAKET
8,000

Technische Daten

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
100 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Power - Max
150 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SOT-723
Supplier Device Package
VESM
Base Product Number
RN1131

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Andere Namen

RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T)

Dokumente und Medien

Datasheets
1(RN1131,1132MFV)
EDA Models
1(RN1131MFV(TL3,T) Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $0.03619
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $0.04369
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $0.06292
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $0.0801
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $0.148
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $0.21
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-