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ChinaSIHG64N65E-GE3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHG64N65E-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
500
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
369 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7497 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SIHG64
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
SIHG64N65E-GE3-ND
742-SIHG64N65E-GE3
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHG64N65E-GE3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SIHG64N65E)
PCN Assembly/Origin
1(Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020)
PCN Packaging
1(Packing Tube Design 19/Sep/2019)
HTML Datasheet
1(SIHG64N65E)
Menge Preis
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $8.12696
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $8.86022
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $9.7768
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $11.304
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $12.83
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-