Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TK6R8A08QM,S4X
BESCHREIBUNG
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 80 V 58A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220SIS
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
20 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
U-MOSX-H
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 40 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
41W (Tc)
Operating Temperature
175°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Package / Case
TO-220-3 Full Pack

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

264-TK6R8A08QM,S4X
TK6R8A08QM,S4X(S
264-TK6R8A08QM,S4X-ND
264-TK6R8A08QMS4X

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK6R8A08QM,S4X

Dokumente und Medien

Datasheets
1(TK6R8A08QM)
Featured Product
1(80 V UMOS-X Power MOSFETs)

Menge Preis

QUANTITÄT: 10000
Einzelpreis: $0.45337
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $0.47531
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $0.49907
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $0.53015
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $0.6508
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $0.7678
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $0.9688
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.21
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-