Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
FDP4D5N10C
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
HERSTELLER
onsemi
STANDARD LEADTIME
6 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
128A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 310µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5065 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.4W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
FDP4D5

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDP4D5N10C

Dokumente und Medien

Datasheets
1(FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev A/T 17/Jun/2021)
HTML Datasheet
1(FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $2.8501
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $3.02684
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $3.535
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $3.9769
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $4.6396
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $5.85
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-