Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIHB18N60E-GE3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
28 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
202mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
179W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB18

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB18N60E-GE3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SIHB18N60E)
HTML Datasheet
1(SIHB18N60E)

Menge Preis

QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.6383
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1000

Stellvertreter

Teil Nr. : IPB60R165CPATMA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 3,135
Einzelpreis. : $4.93000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IXFA22N65X2
Hersteller. : IXYS
Verfügbare Menge. : 250
Einzelpreis. : $5.66000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IXTA24N65X2
Hersteller. : IXYS
Verfügbare Menge. : 50
Einzelpreis. : $5.50000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : STB21N65M5
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 2,748
Einzelpreis. : $5.06000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : STB28N60M2
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 946
Einzelpreis. : $3.28000
Ersatztyp. : Similar