Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXFQ50N60P3
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
57 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET

Technische Daten

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Polar3™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1040W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
IXFQ50

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFQ50N60P3

Dokumente und Medien

Datasheets
1(IXFH-FT-FQ50N60P3)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Design/Specification
1(Multiple Devices Material 23/Jun/2020)
HTML Datasheet
1(IXFH-FT-FQ50N60P3)

Menge Preis

QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $5.6843
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $6.31588
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $7.158
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $8.59
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $10.02
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : IPW60R099CPAFKSA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 226
Einzelpreis. : $8.43000
Ersatztyp. : Similar