Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SCTW35N65G2V
BESCHREIBUNG
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Through Hole HiP247™
HERSTELLER
STMicroelectronics
STANDARD LEADTIME
52 Weeks
EDACAD-MODELL
SCTW35N65G2V Models
STANDARDPAKET
30

Technische Daten

Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
240W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
HiP247™
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SCTW35

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTW35N65G2V

Dokumente und Medien

Datasheets
1(SCTW35N65G2V)
PCN Packaging
1(Standard outer labelling 15/Nov/2023)
EDA Models
1(SCTW35N65G2V Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 510
Einzelpreis: $11.716
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 120
Einzelpreis: $12.928
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 30
Einzelpreis: $13.736
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $16.97
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

Teil Nr. : G3R60MT07D
Hersteller. : GeneSiC Semiconductor
Verfügbare Menge. : 2,868
Einzelpreis. : $10.14000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : MSC060SMA070B
Hersteller. : Microchip Technology
Verfügbare Menge. : 17
Einzelpreis. : $9.64000
Ersatztyp. : Similar