Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IRFBG20
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
HERSTELLER
Vishay Siliconix
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
IRFBG20 Models
STANDARDPAKET
1,000

Technische Daten

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
54W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRFBG20

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

-

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBG20

Dokumente und Medien

Datasheets
()
HTML Datasheet
1(IRFBG20,SiHFBG20)
EDA Models
1(IRFBG20 Models)

Menge Preis

-

Stellvertreter

Teil Nr. : IRFBG20PBF
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 1,433
Einzelpreis. : $1.76000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : IRFBG20PBF-BE3
Hersteller. : Vishay Siliconix
Verfügbare Menge. : 1,770
Einzelpreis. : $1.76000
Ersatztyp. : Parametric Equivalent
Teil Nr. : IXTP1N100P
Hersteller. : IXYS
Verfügbare Menge. : 142
Einzelpreis. : $2.80000
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : IXTP1R4N100P
Hersteller. : IXYS
Verfügbare Menge. : 0
Einzelpreis. : $1.91753
Ersatztyp. : Similar
Teil Nr. : STP2NK100Z
Hersteller. : STMicroelectronics
Verfügbare Menge. : 738
Einzelpreis. : $3.13000
Ersatztyp. : Similar