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ChinaSIGC109T120R3
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
SIGC109T120R3
BESCHREIBUNG
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
IGBT Trench Field Stop 1200 V Surface Mount Die
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
28
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
SIGC109
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
INFINFSIGC109T120R3
2156-SIGC109T120R3
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Infineon Technologies SIGC109T120R3
Dokumente und Medien
Datasheets
1(SIGC109T120R3 Datasheet)
Menge Preis
QUANTITÄT: 28
Einzelpreis: $10.89
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 28
Verpackung: Bulk
MinMultiplikator: 28
Stellvertreter
-