Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TSM4ND65CI
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 650 V 4A (Tc) 41.6W (Tc) Through Hole ITO-220
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
TSM4ND65CI Models
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
596 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
41.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
TSM4

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

1801-TSM4ND65CI
TSM4ND65CI-ND
TSM4ND65CI RLG
TSM4ND65CI C0G

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI

Dokumente und Medien

Environmental Information
()
EDA Models
1(TSM4ND65CI Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.11801
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $1.16169
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.22283
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $1.44118
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $1.7032
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $2.07
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $2.58
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-