Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TK17E80W,S1X
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 800 V 17A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
24 Weeks
EDACAD-MODELL
TK17E80W,S1X Models
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
DTMOSIV
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 850µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 300 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Operating Temperature
150°C
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
TK17E80

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

TK17E80WS1X
TK17E80W,S1X(S

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK17E80W,S1X

Dokumente und Medien

Datasheets
1(TK17E80W)
Featured Product
()
EDA Models
1(TK17E80W,S1X Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $2.14979
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $2.2831
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $2.6664
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $2.9997
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 50
Einzelpreis: $3.4996
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $4.42
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-