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ChinaIXTH6N100D2
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
IXTH6N100D2
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
HERSTELLER
IXYS
STANDARD LEADTIME
52 Weeks
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
IXYS
Series
Depletion
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2650 pF @ 25 V
FET Feature
Depletion Mode
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXTH6
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTH6N100D2
Dokumente und Medien
Datasheets
1(IXT(A,P,H)6N100D2)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Depletion-Mode D2™ Power MOSFETs)
HTML Datasheet
1(IXT(A,P,H)6N100D2)
Menge Preis
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $6.13916
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $6.82128
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $7.7308
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $9.277
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $10.82
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
-