Übersicht der Teilenummer

TEILNUMMER DES HERSTELLERS
TK65E10N1,S1X
BESCHREIBUNG
MOSFET N CH 100V 148A TO220
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 148A (Ta) 192W (Tc) Through Hole TO-220
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
STANDARD LEADTIME
52 Weeks
EDACAD-MODELL
TK65E10N1,S1X Models
STANDARDPAKET
50

Technische Daten

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
U-MOSVIII-H
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
148A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5400 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
192W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
TK65E10

Umweltverträgliche Exportklassifikationen

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Andere Namen

TK65E10N1S1X
TK65E10N1,S1X(S

Kategorie

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage TK65E10N1,S1X

Dokumente und Medien

Datasheets
1(TK65E10N1)
Featured Product
()
EDA Models
1(TK65E10N1,S1X Models)

Menge Preis

QUANTITÄT: 5000
Einzelpreis: $1.2204
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 2000
Einzelpreis: $1.26808
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1000
Einzelpreis: $1.33482
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 500
Einzelpreis: $1.57318
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 100
Einzelpreis: $1.8592
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 10
Einzelpreis: $2.336
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $2.81
Verpackung: Tube
MinMultiplikator: 1

Stellvertreter

-