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ChinaBD1376S
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
BD1376S
BESCHREIBUNG
TRANS NPN 60V 1.5A TO126-3
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1.5 A 1.25 W Through Hole TO-126-3
HERSTELLER
onsemi
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
STANDARDPAKET
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Power - Max
1.25 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126-3
Base Product Number
BD137
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
-
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BD1376S
Dokumente und Medien
Datasheets
1(BD135/137/139)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(BD135/137/139)
Menge Preis
-
Stellvertreter
Teil Nr. : BD137G
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 393
Einzelpreis. : $0.77000
Ersatztyp. : Direct
Verfügbare Menge. : 393
Einzelpreis. : $0.77000
Ersatztyp. : Direct
Teil Nr. : KSD1691YSTU
Hersteller. : onsemi
Verfügbare Menge. : 913
Einzelpreis. : $0.70000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 913
Einzelpreis. : $0.70000
Ersatztyp. : Similar