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ChinaBSZ0803LSATMA1
Übersicht der Teilenummer
TEILNUMMER DES HERSTELLERS
BSZ0803LSATMA1
BESCHREIBUNG
MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
DETAILIERTE BESCHREIBUNG
N-Channel 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
HERSTELLER
Infineon Technologies
STANDARD LEADTIME
EDACAD-MODELL
BSZ0803LSATMA1 Models
STANDARDPAKET
5,000
Lagerbestände
Technische Daten
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 23µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8 FL
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
BSZ0803
Umweltverträgliche Exportklassifikationen
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Andere Namen
448-BSZ0803LSATMA1TR
448-BSZ0803LSATMA1CT
SP001614108
448-BSZ0803LSATMA1DKR
Kategorie
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSZ0803LSATMA1
Dokumente und Medien
Datasheets
1(BSZ0803LS)
EDA Models
1(BSZ0803LSATMA1 Models)
Menge Preis
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.39
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Cut Tape (CT)
MinMultiplikator: 1
QUANTITÄT: 1
Einzelpreis: $1.39
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1
Verpackung: Digi-Reel®
MinMultiplikator: 1
Stellvertreter
Teil Nr. : ISZ0804NLSATMA1
Hersteller. : Infineon Technologies
Verfügbare Menge. : 6,385
Einzelpreis. : $1.44000
Ersatztyp. : Similar
Verfügbare Menge. : 6,385
Einzelpreis. : $1.44000
Ersatztyp. : Similar