元器件型号详细信息

原厂型号
BSS215PH6327XTSA1
摘要
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
346 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
BSS215

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

BSS215P H6327DKR-ND
BSS215P H6327CT
BSS215P H6327-ND
BSS215P H6327TR-ND
BSS215PH6327XTSA1TR
SP000928938
BSS215P H6327CT-ND
BSS215PH6327XTSA1DKR
BSS215P H6327
BSS215P H6327DKR
BSS215PH6327
BSS215PH6327XTSA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSS215PH6327XTSA1

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仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 20V P-Channel Spice Model)

价格

数量: 75000
单价: $0.74793
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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