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GermanyMTB30P06VT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
MTB30P06VT4G
摘要
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 30A（Tc） 3W（Ta），125W（Tc） D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2190 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
MTB30
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
MTB30P06VT4GOS-ND
MTB30P06VT4GOSCT
MTB30P06VT4GOS
ONSONSMTB30P06VT4G
MTB30P06VT4GOSTR
MTB30P06VT4GOSDKR
2156-MTB30P06VT4G-ONTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi MTB30P06VT4G
相关文档
规格书
1(MTB30P06V)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 17/Apr/2015)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Material Chg 2/Oct/2018)
HTML 规格书
1(MTB30P06V)
价格
-
替代型号
型号 : NTB25P06T4G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥18.92000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥18.92000
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