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GermanyFDG6322C
元器件型号详细信息
原厂型号
FDG6322C
摘要
MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
详情
MOSFET - 阵列 25V 220mA，410mA 300mW 表面贴装型 SC-88（SC-70-6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA，410mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 欧姆 @ 220mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5pF @ 10V
功率 - 最大值
300mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SC-88（SC-70-6）
基本产品编号
FDG6322
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
FDG6322CCT
FDG6322CDKR
FDG6322CTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi FDG6322C
相关文档
规格书
1(FDG6322C)
环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 15/Mar/2023)
PCN 封装
()
价格
数量: 75000
单价: $1.05941
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 30000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 1
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