元器件型号详细信息

原厂型号
STS4DPF20L
摘要
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 20V 4A 1.6W 表面贴装型 8-SOIC
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 个 P 沟道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
80 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1350pF @ 25V
功率 - 最大值
1.6W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SOIC
基本产品编号
STS4D

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

STS4DPF20L-ND
-497-8042-1
-497-8042-2
497-8042-6
-497-8042-6
497-8042-1
497-8042-2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/STMicroelectronics STS4DPF20L

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价格

数量: 100
单价: $10.1258
包装: 剪切带(CT)
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数量: 10
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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