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20250517
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元器件资讯
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BSL205NL6327HTSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSL205NL6327HTSA1
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
详情
MOSFET - 阵列 20V 2.5A 500mW 表面贴装型 PG-TSOP6-6
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 11µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
419pF @ 10V
功率 - 最大值
500mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
PG-TSOP6-6
基本产品编号
BSL205
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
BSL205NL6327HTSA1DKR
BSL205N L6327INTR
BSL205N L6327-ND
BSL205N L6327INCT-ND
BSL205NL6327HTSA1CT
BSL205N L6327INTR-ND
SP000442386
BSL205NL6327HTSA1TR
BSL205N L6327
BSL205N L6327INCT
BSL205N L6327INDKR-ND
BSL205NL6327
BSL205N L6327INDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSL205NL6327HTSA1
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