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GermanySTP165N10F4
元器件型号详细信息
原厂型号
STP165N10F4
摘要
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详情
通孔 N 通道 100 V 120A（Tc） 315W（Tc） TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
DeepGATE™, STripFET™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
315W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP165
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-10710-5-ND
497-10710-5
497-STP165N10F4
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP165N10F4
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规格书
1(STP165N10F4)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev OBS 27/Sep/2021)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 13/Sep/2019)
PCN 封装
1(Traceability 06/Mar/2017)
HTML 规格书
1(STP165N10F4)
EDA 模型
1(STP165N10F4 by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : IPP100N10S305AKSA1
制造商 : Infineon Technologies
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单价. : ¥23.61000
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型号 : IPP045N10N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥24.49000
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库存 : 10,357
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