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GermanyNTLUS3C18PZTBG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTLUS3C18PZTBG
摘要
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
详情
表面贴装型 P 通道 12 V 4.4A（Ta） 660mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1570 pF @ 6 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
660mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-UDFN（1.6x1.6）
封装/外壳
6-PowerUFDFN
基本产品编号
NTLUS3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-NTLUS3C18PZTBG-OS
ONSONSNTLUS3C18PZTBG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTLUS3C18PZTBG
相关文档
规格书
1(NTLUS3C18PZ)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
HTML 规格书
1(NTLUS3C18PZ)
价格
-
替代型号
-