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GermanyDMT36M1LPS-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMT36M1LPS-13
摘要
MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 65A（Tc） 2.6W（Ta） PowerDI5060-8
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
23 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1155 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerDI5060-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
DMT36
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
DMT36M1LPS-13DICT
DMT36M1LPS-13DIDKR
DMT36M1LPS-13-ND
DMT36M1LPS-13DITR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMT36M1LPS-13
相关文档
规格书
1(DMT36M1LPS)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Chg 6/Aug/2020)
价格
数量: 62500
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