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GermanyDF200R12W1H3B27BOMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
DF200R12W1H3B27BOMA1
摘要
IGBT MOD 1200V 30A 375W
详情
IGBT 模块 2 个独立式 1200 V 30 A 375 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
78 周
EDA/CAD 模型
标准包装
24
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
-
配置
2 个独立式
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A
功率 - 最大值
375 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.3V @ 15V，30A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
2 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
DF200R12
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-DF200R12W1H3B27BOMA1
DF200R12W1H3B27BOMA1-ND
SP001056182
DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1
相关文档
规格书
1(DF200R12W1H3_B27)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Source Add 2/Oct/2018)
HTML 规格书
1(DF200R12W1H3_B27)
价格
数量: 24
单价: $574.16167
包装: 托盘
最小包装数量: 24
包装: 托盘
最小包装数量: 24
替代型号
-