元器件型号详细信息

原厂型号
DMN1002UCA6-7
摘要
MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
详情
MOSFET - 阵列 1.1W 表面贴装型 X4-DSN3118-6
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
28 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)共漏
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68.6nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
1.1W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD,无引线
供应商器件封装
X4-DSN3118-6
基本产品编号
DMN1002

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

DMN1002UCA6-7DITR
DMN1002UCA6-7DICT
DMN1002UCA6-7DIDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN1002UCA6-7

相关文档

规格书
1(DMN1002UCA6)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Chgs 16/Dec/2020)
仿真模型
1(DMN1002UCA6 Spice Model)

价格

数量: 30000
单价: $2.52996
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $2.59067
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
单价: $2.69188
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
单价: $2.83355
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000

替代型号

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