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20250407
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元器件资讯
库存查询
CSD19506KCS
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19506KCS
摘要
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
详情
通孔 N 通道 80 V 100A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
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技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
156 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12200 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
375W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
CSD19506
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-296-37169-5-ND
296-37169-5
-296-37169-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD19506KCS
相关文档
规格书
1(CSD19506KCS)
特色产品
()
PCN 设计/规格
1(ID symbolization Change 04/Mar/2020)
PCN 组装/来源
1(CSD195 A/T Chgs 13/Dec/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev 15/Apr/2020)
制造商产品页面
1(CSD19506KCS Specifications)
HTML 规格书
1(CSD19506KCS)
EDA 模型
1(CSD19506KCS by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $20.71641
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $21.80674
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $25.85658
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $30.3734
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $37.07
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $41.26
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : STP270N8F7
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,028
单价. : ¥45.47000
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