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GermanyIXFN100N10S2
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFN100N10S2
摘要
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详情
底座安装 N 通道 100 V 100A（Tc） 360W（Tc） SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
IXFN100
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFN100N10S2
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规格书
1(IXFN100N10S1/2/3)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017)
HTML 规格书
1(IXFN100N10S1/2/3)
价格
-
替代型号
型号 : IXFN360N10T
制造商 : IXYS
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