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GermanyCSD19538Q2
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19538Q2
摘要
MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 14.4A（Ta） 2.5W（Ta），20.2W（Tc） 6-WSON（2x2）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
59 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
454 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），20.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WSON（2x2）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
基本产品编号
CSD19538
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
CSD19538Q2-ND
296-47322-6
296-47322-1
296-47322-2
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19538Q2
相关文档
规格书
1(CSD19538Q2 Datasheet)
特色产品
1(Power Management)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 23/Oct/2017)
制造商产品页面
1(CSD19538Q2 Specifications)
HTML 规格书
1(CSD19538Q2 Datasheet)
EDA 模型
()
价格
数量: 3000
单价: $1.94375
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $2.07333
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.59166
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $3.2785
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $4.277
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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